工厂交货时间

14 Weeks

底架

Surface Mount

安装类型

Surface Mount

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

120A Tc

7.5V 10V

1

375W Tc

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

TrenchFET®

已出版

2016

JESD-609代码

e3

零件状态

Active

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

终端形式

GULL WING

峰值回流焊温度（摄氏度）

NOT SPECIFIED

时间@峰值回流温度-最大值(s)

NOT SPECIFIED

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

ENHANCEMENT MODE

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

4m Ω @ 20A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5100pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

120nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

120A

阈值电压

4V

漏极-源极导通最大电阻

0.004Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

480A

DS 击穿电压-最小值

100V

雪崩能量等级（Eas）

266 mJ

达到SVHC

Unknown

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

Lead Free