SUD42N03-3M9P-GE3
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
MOSFET 30V 107A N-CH MOSFET
规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
2
质量
1.437803g
晶体管元件材料
SILICON
1
2.5W Ta 73.5W Tc
4.5V 10V
42A Tc
35 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2008
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度（摄氏度）
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
4
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
2.5W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
11 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
3.9m Ω @ 22A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3535pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
100nC @ 10V
上升时间
10ns
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
10 ns
连续放电电流(ID)
42A
阈值电压
1V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.0039Ohm
漏源击穿电压
30V
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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SUD42N03-3M9P-GE3
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TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
42 A
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TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
90 A
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20 V
79 W
79W (Tc)
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
50 A
12A (Ta), 50A (Tc)
-
20 V
3.2 W
3.2W (Ta), 56W (Tc)
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
-45 A
45A (Tc)
-2.5 V
20 V
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Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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80A (Tc)
-
20 V
110 W
110W (Tc)
SUD42N03-3M9P-GE3 PDF数据手册
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