IPD040N03LGATMA1
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-252
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
18 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
90A Tc
4.5V 10V
1
79W Tc
27 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
no
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
端子位置
SINGLE
终端形式
GULL WING
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PSSO-G2
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
79W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
7.4 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
4m Ω @ 30A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250μA
无卤素
Halogen Free
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3900pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
38nC @ 10V
上升时间
6.8ns
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
4.2 ns
连续放电电流(ID)
90A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
30V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
89A
漏极-源极导通最大电阻
0.0059Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
400A
雪崩能量等级（Eas）
60 mJ
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Contains Lead
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TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
90 A
90A (Tc)
20 V
79 W
79W (Tc)
±20V
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
40 A
40A (Tc)
20 V
42 W
42W (Tc)
±20V
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
55 A
55A (Ta)
20 V
60 mW
60W (Ta)
±20V
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
20 A
20A (Ta)
20 V
74 W
1.75W (Ta), 74W (Tc)
±20V
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
42 A
42A (Tc)
20 V
2.5 W
2.5W (Ta), 73.5W (Tc)
±20V
IPD040N03LGATMA1 PDF数据手册
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