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NTD20N03L27G
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
20A Ta
4V 5V
1
1.75W Ta 74W Tc
38 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
2007
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
AVALANCHE RATED
电压 - 额定直流
30V
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
额定电流
20A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
Not Qualified
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
74W
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
27m Ω @ 10A, 5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1260pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
18.9nC @ 10V
上升时间
137ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
31 ns
连续放电电流(ID)
20A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
60A
雪崩能量等级(Eas)
288 mJ
栅源电压
1.6 V
达到SVHC
No SVHC
RoHS状态
RoHS Compliant
无铅
Lead Free
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42W (Tc)
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30 A
9.5A (Ta), 30A (Tc)
20 V
36 W
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Single
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21 A
21A (Ta)
20 V
28 W
28W (Ta)
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TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
-40 A
11A (Ta), 40A (Tc)
25 V
52 W
52W (Ta)
Single
NTD20N03L27G PDF数据手册
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