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SQJ992EP-T1_GE3

型号:

SQJ992EP-T1_GE3

封装:

PowerPAK® SO-8 Dual

数据表:

SQJ992EP

描述:

VISHAY SQJ992EP-T1-GE3 Dual MOSFET, Dual N Channel, 15 A, 60 V, 0.047 ohm, 10 V, 2 V

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    12 Weeks

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    PowerPAK® SO-8 Dual

  • 引脚数

    8

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 2

  • 操作温度

    -55°C~175°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

  • 已出版

    2015

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    4

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 电阻

    47mOhm

  • 最大功率耗散

    34W

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    GULL WING

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    NOT SPECIFIED

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    NOT SPECIFIED

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G4

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    34W

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Dual)

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    56.2m Ω @ 3.7A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.5V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    446pF @ 30V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    12nC @ 10V

  • 漏源电压 (Vdss)

    60V

  • 连续放电电流(ID)

    15A

  • 阈值电压

    2V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    60A

  • DS 击穿电压-最小值

    60V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 场效应管特性

    Standard

  • 达到SVHC

    Unknown

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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    产品型号
    品牌
    Mount
    Package / Case
    Drain to Source Voltage (Vdss)
    Continuous Drain Current (ID)
    Threshold Voltage
    Gate to Source Voltage (Vgs)
    Max Power Dissipation
    Power Dissipation
  • SQJ992EP-T1_GE3

    SQJ992EP-T1_GE3

    Surface Mount

    PowerPAK? SO-8 Dual

    60V

    15 A

    2 V

    20 V

    34 W

    34 W

  • FDD5612

    Surface Mount

    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    -

    18 A

    2.4 V

    20 V

    -

    42 W

  • STD16NF06T4

    Surface Mount

    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    -

    16 A

    2 V

    20 V

    -

    40 W

SQJ992EP-T1_GE3 PDF数据手册