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SQJ992EP-T1_GE3
PowerPAK® SO-8 Dual
VISHAY SQJ992EP-T1-GE3 Dual MOSFET, Dual N Channel, 15 A, 60 V, 0.047 ohm, 10 V, 2 V
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
PowerPAK® SO-8 Dual
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
2
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
已出版
2015
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
电阻
47mOhm
最大功率耗散
34W
端子位置
SINGLE
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
JESD-30代码
R-PSSO-G4
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
34W
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
56.2m Ω @ 3.7A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
446pF @ 30V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
12nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
60V
连续放电电流(ID)
15A
阈值电压
2V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
60A
DS 击穿电压-最小值
60V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Standard
达到SVHC
Unknown
RoHS状态
ROHS3 Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Threshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Max Power DissipationPower Dissipation
-
SQJ992EP-T1_GE3
Surface Mount
PowerPAK? SO-8 Dual
60V
15 A
2 V
20 V
34 W
34 W
-
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
-
18 A
2.4 V
20 V
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42 W
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Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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16 A
2 V
20 V
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40 W
SQJ992EP-T1_GE3 PDF数据手册
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