
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
PowerPAK® 1212-8S
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
50A Tc
4.5V 10V
1
4.8W Ta 57W Tc
65 ns
操作温度
-50°C~150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
系列
TrenchFET®
已出版
2014
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
JESD-30代码
S-PDSO-N5
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
4.8W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
16 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
5.6m Ω @ 15A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
5250pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
140nC @ 10V
上升时间
45ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
20 ns
连续放电电流(ID)
-23A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
50A
漏极-源极导通最大电阻
0.0056Ohm
漏源击穿电压
-30V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
200A
最大结点温度(Tj)
150°C
高度
830μm
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌MountDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-MaxVgs (Max)
-
SISS27DN-T1-GE3
Surface Mount
30V
-23 A
50A (Tc)
20 V
4.8 W
4.8W (Ta), 57W (Tc)
±20V
-
Surface Mount
-
63 A
18A (Ta), 63A (Tc)
20 V
-
2.5W (Ta), 30W (Tc)
±20V
-
Surface Mount
-
16 A
16A (Ta), 57A (Tc)
20 V
2.6 W
2.6W (Ta), 33W (Tc)
±20V
-
Surface Mount
-
64 A
9.5A (Ta), 64A (Tc)
20 V
2.17 W
870mW (Ta), 41.7W (Tc)
±20V
-
Surface Mount
-
54 A
20A (Ta), 54A (Tc)
20 V
3.1 W
3.1W (Ta)
±20V
SISS27DN-T1-GE3 PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 组装/原产地 :
- Rohs 声明 :