![SISA12ADN-T1-GE3](https://static.esinoelec.com/200dimg/vishaysiliconix-sisa14dnt1ge3-2757.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
PowerPAK® 1212-8
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
25A Tc
4.5V 10V
1
3.5W Ta 28W Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2013
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
C BEND
JESD-30代码
S-PDSO-C5
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
3.5W
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
4.3m Ω @ 10A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2070pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
45nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
+20V, -16V
连续放电电流(ID)
25A
阈值电压
1.1V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.0043Ohm
DS 击穿电压-最小值
30V
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power Dissipation
-
SISA12ADN-T1-GE3
Surface Mount
PowerPAK? 1212-8
30V
25 A
25A (Tc)
1.1 V
20 V
3.5 W
-
Surface Mount
PowerPAK? SO-8
-
30 A
60A (Tc)
1.1 V
20 V
5 W
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
-
21 A
21A (Ta)
1.4 V
20 V
2.5 mW
-
Surface Mount
PowerPAK? SO-8
-
25 A
25A (Tc)
1.1 V
20 V
4.5 W
-
Surface Mount
PowerPAK? 1212-8
-
30 A
30A (Tc)
1.1 V
20 V
3.6 W
SISA12ADN-T1-GE3 PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 组装/原产地 :
- Rohs 声明 :