![SIRA10DP-T1-GE3](https://static.esinoelec.com/200dimg/vishaysiliconix-si7461dpt1e3-3017.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
PowerPAK® SO-8
引脚数
8
质量
506.605978mg
晶体管元件材料
SILICON
60A Tc
4.5V 10V
1
5W Ta 40W Tc
27 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2011
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
JESD-30代码
R-PDSO-F5
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
5W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
20 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
3.7m Ω @ 10A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2425pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
51nC @ 10V
Vgs(最大值)
+20V, -16V
下降时间(典型值)
20 ns
连续放电电流(ID)
30A
阈值电压
1.1V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
60A
漏极-源极导通最大电阻
0.0037Ohm
漏源击穿电压
30V
雪崩能量等级(Eas)
20 mJ
高度
1.12mm
长度
6.25mm
宽度
5.26mm
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
SIRA10DP-T1-GE3
Surface Mount
PowerPAK? SO-8
30 A
60A (Tc)
1.1 V
20 V
5 W
5W (Ta), 40W (Tc)
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
21 A
21A (Ta)
1.4 V
20 V
2.5 mW
2.5W (Ta)
-
Surface Mount
PowerPAK? SO-8
25 A
25A (Tc)
1.1 V
20 V
4.5 W
4.5W (Ta), 31W (Tc)
-
Surface Mount
PowerPAK? 1212-8
30 A
30A (Tc)
1.1 V
20 V
3.6 W
3.6W (Ta), 39W (Tc)
-
Surface Mount
PowerPAK? 1212-8
25 A
25A (Tc)
1.1 V
20 V
3.5 W
3.5W (Ta), 28W (Tc)
SIRA10DP-T1-GE3 PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 组装/原产地 :
- Rohs 声明 :