SISA04DN-T1-GE3
PowerPAK® 1212-8
Semiconcuctor, Mosfet; TrenchFET; N-Channel; 30V; 40A; 2.15mohm @ 10V; PowerPAK 1212-8
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
PowerPAK® 1212-8
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
40A Tc
4.5V 10V
1
3.7W Ta 52W Tc
30 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2012
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
电阻
2.15mOhm
端子位置
DUAL
终端形式
C BEND
JESD-30代码
S-PDSO-C5
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
3.7W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
24 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
2.15m Ω @ 15A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3595pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
77nC @ 10V
Vgs（最大值）
+20V, -16V
下降时间（典型值）
20 ns
连续放电电流(ID)
40A
阈值电压
1.1V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
雪崩能量等级（Eas）
20 mJ
栅源电压
1.1 V
高度
1.0668mm
长度
3.1496mm
宽度
3.1496mm
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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