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SIRA04DP-T1-GE3
PowerPAK® SO-8
Semiconcuctor; Mosfet; TrenchFET; N-Channel; 30V; 40A; 2.15mohm @ 10V; PowerPAK SO-8
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
PowerPAK® SO-8
引脚数
8
质量
506.605978mg
晶体管元件材料
SILICON
40A Tc
4.5V 10V
1
5W Ta 62.5W Tc
30 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2011
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
电阻
2.15mOhm
端子位置
DUAL
终端形式
C BEND
JESD-30代码
R-PDSO-C5
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
5W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
24 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
2.15m Ω @ 15A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3595pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
77nC @ 10V
Vgs(最大值)
+20V, -16V
下降时间(典型值)
16 ns
连续放电电流(ID)
40A
阈值电压
1.1V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
雪崩能量等级(Eas)
20 mJ
栅源电压
1.1 V
高度
1.12mm
长度
6.25mm
宽度
5.26mm
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
SIRA04DP-T1-GE3
Surface Mount
PowerPAK? SO-8
40 A
40A (Tc)
1.1 V
20 V
5 W
5W (Ta), 62.5W (Tc)
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PowerPAK? SO-8
40 A
40A (Tc)
1.2 V
20 V
5 W
5W (Ta), 48W (Tc)
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PowerPAK? SO-8
50 A
50A (Tc)
1.2 V
20 V
69 W
5.2W (Ta), 69W (Tc)
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Surface Mount
PowerPAK? SO-8
40 A
40A (Tc)
1.1 V
20 V
5 W
5W (Ta), 62.5W (Tc)
SIRA04DP-T1-GE3 PDF数据手册
- 数据表 :
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