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SIS468DN-T1-GE3
PowerPAK® 1212-8
MOSFET 80V 19.5mOhm@10V 30A N-Ch MV T-FET
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
PowerPAK® 1212-8
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
30A Tc
4.5V 10V
1
3.7W Ta 52W Tc
15 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2013
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
电阻
19.5MOhm
端子位置
DUAL
终端形式
C BEND
JESD-30代码
S-PDSO-C5
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
3.7W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
8 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
19.5m Ω @ 10A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
780pF @ 40V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
28nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
9.8A
阈值电压
1.5V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
30A
漏源击穿电压
80V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
60A
雪崩能量等级(Eas)
5 mJ
最大结点温度(Tj)
150°C
高度
1.12mm
长度
3.4mm
宽度
3.4mm
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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SIS468DN-T1-GE3
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PowerPAK? 1212-8
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20 V
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3.1W (Ta)
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8.8 A
30A (Tc)
1.5 V
20 V
3.7 W
3.7W (Ta), 52W (Tc)
SIS468DN-T1-GE3 PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 组装/原产地 :
- Rohs 声明 :