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SIRA14DP-T1-GE3
PowerPAK® SO-8
VISHAY SIRA14DP-T1-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 20 A, 30 V, 0.00425 ohm, 10 V, 1.1 V
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
PowerPAK® SO-8
引脚数
8
质量
506.605978mg
晶体管元件材料
SILICON
58A Tc
4.5V 10V
1
3.6W Ta 31.2W Tc
18 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Digi-Reel®
系列
TrenchFET®
已出版
2011
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
JESD-30代码
R-PDSO-F5
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
3.6W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
15 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
5.1m Ω @ 10A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1450pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
29nC @ 10V
Vgs(最大值)
+20V, -16V
下降时间(典型值)
16 ns
连续放电电流(ID)
20A
阈值电压
1.1V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
高度
1.0668mm
长度
5.969mm
宽度
5.0038mm
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
SIRA14DP-T1-GE3
Surface Mount
PowerPAK? SO-8
20 A
58A (Tc)
1.1 V
20 V
3.6 W
3.6W (Ta), 31.2W (Tc)
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
15 A
15A (Ta)
1.2 V
20 V
2.5 W
2.5W (Ta)
-
Surface Mount
PowerPAK? SO-8
25 A
25A (Tc)
1.1 V
20 V
4.5 W
4.5W (Ta), 31W (Tc)
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Surface Mount
PowerPAK? 1212-8
25 A
25A (Tc)
1.1 V
20 V
3.5 W
3.5W (Ta), 28W (Tc)
-
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PowerPAK? 1212-8
-
20A (Tc)
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3.5W (Ta), 28W (Tc)
SIRA14DP-T1-GE3 PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 组装/原产地 :
- Rohs 声明 :