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SIR864DP-T1-GE3

型号:

SIR864DP-T1-GE3

封装:

PowerPAK® SO-8

数据表:

SIR864DP-T1-GE3

描述:

MOSFET 30V 40A N-CH MOSFET

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    13 Weeks

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    PowerPAK® SO-8

  • 引脚数

    8

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 40A Tc

  • 4.5V 10V

  • 1

  • 5W Ta 54W Tc

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    TrenchFET®

  • 已出版

    2008

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    5

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    MATTE TIN

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    C BEND

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 引脚数量

    8

  • JESD-30代码

    R-XDSO-C5

  • 通道数量

    1

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    5W

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    3.6m Ω @ 15A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.4V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    2460pF @ 15V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    65nC @ 10V

  • 漏源电压 (Vdss)

    30V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 连续放电电流(ID)

    40A

  • 阈值电压

    1.2V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.0036Ohm

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    70A

  • DS 击穿电压-最小值

    30V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    45 mJ

  • 栅源电压

    1.2 V

  • 达到SVHC

    Unknown

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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