![SIR864DP-T1-GE3](https://static.esinoelec.com/200dimg/vishaysiliconix-si7461dpt1e3-3017.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
13 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
PowerPAK® SO-8
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
40A Tc
4.5V 10V
1
5W Ta 54W Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
MATTE TIN
端子位置
DUAL
终端形式
C BEND
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
8
JESD-30代码
R-XDSO-C5
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
5W
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
3.6m Ω @ 15A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2460pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
65nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
40A
阈值电压
1.2V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.0036Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
70A
DS 击穿电压-最小值
30V
雪崩能量等级(Eas)
45 mJ
栅源电压
1.2 V
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power Dissipation
-
SIR864DP-T1-GE3
Surface Mount
PowerPAK? SO-8
30V
40 A
40A (Tc)
1.2 V
20 V
5 W
-
Surface Mount
PowerPAK? SO-8
-
30 A
60A (Tc)
1.1 V
20 V
5 W
-
Surface Mount
PowerPAK? SO-8
-
50 A
50A (Tc)
1.2 V
20 V
69 W
-
Surface Mount
8-PowerTDFN
-
42 A
20A (Ta), 42A (Tc)
1.5 V
20 V
2.5 W
-
Surface Mount
PowerPAK? SO-8
-
40 A
40A (Tc)
1 V
20 V
5 W
SIR864DP-T1-GE3 PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 报废/ EOL :
- PCN 组装/原产地 :
- Rohs 声明 :