![SIR862DP-T1-GE3](https://static.esinoelec.com/200dimg/vishaysiliconix-si7461dpt1e3-3017.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
PowerPAK® SO-8
引脚数
8
质量
506.605978mg
晶体管元件材料
SILICON
50A Tc
4.5V 10V
1
5.2W Ta 69W Tc
39 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2010
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
C BEND
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
8
JESD-30代码
R-XDSO-C5
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
28 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
2.8m Ω @ 15A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3800pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
90nC @ 10V
上升时间
16ns
漏源电压 (Vdss)
25V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
17 ns
连续放电电流(ID)
32A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
50A
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
70A
DS 击穿电压-最小值
25V
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power Dissipation-MaxRadiation Hardening
-
SIR862DP-T1-GE3
Surface Mount
PowerPAK? SO-8
25V
32 A
50A (Tc)
20 V
5.2W (Ta), 69W (Tc)
No
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
-
35.8 A
35.8A (Tc)
20 V
3W (Ta), 6W (Tc)
No
-
Surface Mount
PowerPAK? SO-8
-
40 A
40A (Tc)
20 V
5W (Ta), 62.5W (Tc)
No
-
Surface Mount
PowerPAK? SO-8
-
40 A
40A (Tc)
20 V
5W (Ta), 62.5W (Tc)
No
SIR862DP-T1-GE3 PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 组装/原产地 :
- Rohs 声明 :