![SIR462DP-T1-GE3](https://static.esinoelec.com/200dimg/vishaysiliconix-si7461dpt1e3-3017.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
PowerPAK® SO-8
引脚数
8
质量
506.605978mg
晶体管元件材料
SILICON
30A Tc
4.5V 10V
1
4.8W Ta 41.7W Tc
25 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2009
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
电阻
7.9mOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
C BEND
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
8
JESD-30代码
R-XDSO-C5
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
通道数量
1
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
4.8W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
20 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
7.9m Ω @ 20A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1155pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
30nC @ 10V
上升时间
15ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
10 ns
连续放电电流(ID)
30A
阈值电压
3V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
70A
DS 击穿电压-最小值
30V
栅源电压
3 V
高度
1.04mm
长度
4.9mm
宽度
5.89mm
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power Dissipation
-
SIR462DP-T1-GE3
Surface Mount
PowerPAK? SO-8
30V
30 A
30A (Tc)
3 V
20 V
4.8 W
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
-
24 A
24A (Ta)
1.8 V
20 V
2.5 W
-
Surface Mount
PowerPAK? SO-8
30V
33 A
33A (Tc)
1.2 V
20 V
3.3 W
-
Surface Mount
PowerPAK? 1212-8
-
35 A
35A (Tc)
1.2 V
20 V
-
-
Surface Mount
PowerPAK? SO-8
-
30 A
30A (Tc)
3 V
20 V
4.8 W
SIR462DP-T1-GE3 PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 组装/原产地 :
- Rohs 声明 :