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SIHP6N40D-E3

型号:

SIHP6N40D-E3

封装:

TO-220-3

数据表:

SiHP6N40D

描述:

MOSFET N-CH 400V 6A TO-220AB

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    20 Weeks

  • 底架

    Through Hole

  • 安装类型

    Through Hole

  • 包装/外壳

    TO-220-3

  • 引脚数

    3

  • 质量

    6.000006g

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 6A Tc

  • 10V

  • 1

  • 104W Tc

  • 14 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 已出版

    2011

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • 通道数量

    1

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    104W

  • 接通延迟时间

    12 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    1 Ω @ 3A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    5V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    311pF @ 100V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    18nC @ 10V

  • 上升时间

    11ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    400V

  • Vgs(最大值)

    ±30V

  • 下降时间(典型值)

    8 ns

  • 连续放电电流(ID)

    6A

  • JEDEC-95代码

    TO-220AB

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    30V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    6A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    1Ohm

  • DS 击穿电压-最小值

    400V

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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    品牌
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    Package / Case
    Drain to Source Voltage (Vdss)
    Continuous Drain Current (ID)
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    Gate to Source Voltage (Vgs)
    Power Dissipation
    Power Dissipation-Max
  • SIHP6N40D-E3

    SIHP6N40D-E3

    Through Hole

    TO-220-3

    400V

    6 A

    6A (Tc)

    30 V

    104 W

    104W (Tc)

  • IRF730BPBF

    Through Hole

    TO-220-3 Full Pack

    -

    6 A

    6A (Tc)

    30 V

    30 W

    30W (Tc)

  • SIHF6N40D-E3

    Through Hole

    TO-220-3

    400V

    6 A

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    -

    104W (Tc)

  • FQPF7N40

    Through Hole

    TO-220-3 Full Pack

    -

    4.6 A

    4.6A (Tc)

    30 V

    42 W

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SIHP6N40D-E3 PDF数据手册