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SIHF6N40D-E3
TO-220-3 Full Pack
VISHAY SIHF6N40D-E3 MOSFET Transistor, N Channel, 6 A, 400 V, 0.85 ohm, 10 V, 3 V
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
8 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-220-3 Full Pack
引脚数
3
质量
6.000006g
晶体管元件材料
SILICON
6A Tc
10V
1
30W Tc
14 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
2013
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
30W
箱体转运
ISOLATED
接通延迟时间
12 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
1 Ω @ 3A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
311pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
18nC @ 10V
上升时间
11ns
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
8 ns
连续放电电流(ID)
6A
阈值电压
3V
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
30V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
6A
漏极-源极导通最大电阻
1Ohm
漏源击穿电压
400V
高度
9.8mm
长度
10.63mm
宽度
4.83mm
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
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- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
SIHF6N40D-E3
Through Hole
TO-220-3 Full Pack
6 A
6A (Tc)
3 V
30 V
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7.2A (Tc)
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30 W
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SIHF6N40D-E3 PDF数据手册
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