SIHP25N40D-GE3
TO-220-3
MOSFET, N-CH, 400V, 25A, TO-220AB; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Dra
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
8 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
质量
6.000006g
晶体管元件材料
SILICON
25A Tc
10V
1
278W Tc
40 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
2011
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
278W
接通延迟时间
21 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
170m Ω @ 13A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1707pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
88nC @ 10V
上升时间
57ns
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
37 ns
连续放电电流(ID)
25A
阈值电压
3V
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
30V
漏源击穿电压
400V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
78A
雪崩能量等级(Eas)
556 mJ
高度
9.01mm
长度
10.51mm
宽度
4.65mm
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°CContinuous Drain Current (ID)Threshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
SIHP25N40D-GE3
Through Hole
TO-220-3
25A (Tc)
25 A
3 V
30 V
278 W
278W (Tc)
-
Through Hole
TO-220-3
19A (Tc)
19 A
-
30 V
215 W
215W (Tc)
-
Through Hole
TO-220-3
21A (Tc)
21 A
5 V
30 V
170 W
170W (Tc)
-
Through Hole
TO-220-3
6A (Tc)
6 A
3 V
30 V
104 W
104W (Tc)
-
Through Hole
TO-220-3
10A (Tc)
10 A
3 V
30 V
147 W
147W (Tc)
SIHP25N40D-GE3 PDF数据手册
- 数据表 :
- 其他相关文件 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN 组装/原产地 :
- Rohs 声明 :