
SIHG22N65E-GE3
TO-247-3
Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
18 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
22A Tc
10V
1
227W Tc
73 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
2014
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
227W
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
180m Ω @ 11A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2415pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
110nC @ 10V
上升时间
33ns
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
38 ns
连续放电电流(ID)
22A
JEDEC-95代码
TO-247AC
栅极至源极电压(Vgs)
4V
漏源击穿电压
650V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
56A
达到SVHC
Unknown
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-MaxDrive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
-
SIHG22N65E-GE3
Through Hole
TO-247-3
22 A
22A (Tc)
4 V
227 W
227W (Tc)
10V
-
Through Hole
TO-247-3
24 A
24A (Tc)
20 V
250 W
250W (Tc)
10V
-
Through Hole
TO-247-3
21 A
21A (Tc)
20 V
227 W
227W (Tc)
10V
-
Through Hole
TO-247-3
24 A
24A (Tc)
30 V
-
298W (Tc)
10V
-
Through Hole
TO-247-3
21 A
21A (Tc)
20 V
227 W
227W (Tc)
10V
SIHG22N65E-GE3 PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :
- Rohs 声明 :