![SIHG24N65E-GE3](https://static.esinoelec.com/200dimg/vishaysemiconductordiodesdivision-vs40tps16m3-9621.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
供应商器件包装
TO-247AC
质量
38.000013g
24A Tc
10V
1
250W Tc
70 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
2013
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电阻
145mOhm
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
通道数量
1
元素配置
Single
功率耗散
250W
接通延迟时间
24 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
145mOhm @ 12A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2740pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
122nC @ 10V
上升时间
84ns
漏源电压 (Vdss)
650V
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
69 ns
连续放电电流(ID)
24A
阈值电压
2V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
650V
输入电容
2.74nF
漏源电阻
145mOhm
最大rds
145 mΩ
高度
20.7mm
长度
15.87mm
宽度
5.31mm
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CContinuous Drain Current (ID)Threshold VoltageRds On MaxGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
SIHG24N65E-GE3
Through Hole
TO-247-3
650V
24A (Tc)
24 A
2 V
145 mΩ
20 V
250 W
250W (Tc)
-
Through Hole
TO-247-3
600V
29A (Tc)
29 A
-
-
25 V
190 W
190W (Tc)
-
Through Hole
TO-247-3
600V
29A (Tc)
29 A
2 V
125 mΩ
20 V
250 W
250W (Tc)
-
Through Hole
TO-247-3
600V
21A (Tc)
21 A
2 V
180 mΩ
20 V
227 W
227W (Tc)
-
Through Hole
TO-247-3
600V
29A (Tc)
29 A
2 V
125 mΩ
20 V
250 W
250W (Tc)
SIHG24N65E-GE3 PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :
- Rohs 声明 :