![SIHG14N50D-GE3](https://static.esinoelec.com/200dimg/vishaysemiconductordiodesdivision-vs40tps16m3-9621.jpg)
SIHG14N50D-GE3
TO-247-3
VISHAY SIHG14N50D-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 14 A, 500 V, 0.32 ohm, 10 V, 3 V
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
8 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
质量
38.000013g
晶体管元件材料
SILICON
14A Tc
10V
1
208W Tc
29 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
2012
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
16 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
400m Ω @ 7A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1144pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
58nC @ 10V
上升时间
27ns
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
26 ns
连续放电电流(ID)
14A
阈值电压
3V
JEDEC-95代码
TO-247AC
栅极至源极电压(Vgs)
30V
漏极-源极导通最大电阻
0.4Ohm
漏源击穿电压
500V
双电源电压
100V
雪崩能量等级(Eas)
56 mJ
高度
20.82mm
长度
15.87mm
宽度
5.31mm
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power Dissipation-MaxDrive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
-
SIHG14N50D-GE3
Through Hole
TO-247-3
14 A
14A (Tc)
3 V
30 V
208W (Tc)
10V
-
Through Hole
TO-247-3
14 A
14A (Tc)
4 V
30 V
190W (Tc)
10V
-
Through Hole
TO-247-3
16 A
16A (Tc)
3 V
30 V
250W (Tc)
10V
-
Through Hole
TO-247-3
13 A
13A (Tc)
-
25 V
110W (Tc)
10V
-
Through Hole
TO-247-3
17 A
17A (Tc)
3 V
30 V
277.8W (Tc)
10V
SIHG14N50D-GE3 PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :
- Rohs 声明 :