
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
8 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-220-3 Full Pack
引脚数
3
质量
6.000006g
晶体管元件材料
SILICON
8.7A Tc
10V
1
33W Tc
17 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
2013
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
33W
箱体转运
ISOLATED
接通延迟时间
13 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
850m Ω @ 4A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
527pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
30nC @ 10V
上升时间
16ns
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
11 ns
连续放电电流(ID)
8.7A
阈值电压
3V
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
30V
漏极-源极导通最大电阻
0.85Ohm
漏源击穿电压
500V
雪崩能量等级(Eas)
29 mJ
高度
9.8mm
长度
10.63mm
宽度
4.83mm
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
SIHF8N50D-E3
Through Hole
TO-220-3 Full Pack
8.7 A
8.7A (Tc)
3 V
30 V
33 W
33W (Tc)
-
Through Hole
TO-220-3 Full Pack
6.5 A
6.5A (Tc)
3 V
25 V
25 W
25W (Tc)
-
Through Hole
TO-220-3 Full Pack
7.2 A
7.2A (Tc)
3.75 V
30 V
30 W
30W (Tc)
-
Through Hole
TO-220-3 Full Pack
7 A
7A (Tc)
3 V
25 V
25 W
25W (Tc)
-
Through Hole
TO-220-3 Full Pack
10 A
10A (Tc)
3 V
30 V
33 W
33W (Tc)
SIHF8N50D-E3 PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN 组装/原产地 :
- Rohs 声明 :