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STF10NM50N
TO-220-3 Full Pack
MOSFET N-Ch 500V 0.53 7A MDmesh II Power MO
规格参数
- 类型参数全选
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-220-3 Full Pack
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
7A Tc
10V
1
25W Tc
7.8 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
MDmesh™ II
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电阻
630MOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
基本部件号
STF10N
引脚数量
3
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
25W
箱体转运
ISOLATED
接通延迟时间
7.8 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
630m Ω @ 3.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
450pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
17nC @ 10V
上升时间
4.4ns
Vgs(最大值)
±25V
下降时间(典型值)
12 ns
连续放电电流(ID)
7A
阈值电压
3V
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
25V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
7A
漏源击穿电压
500V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
28A
高度
16.4mm
长度
10.4mm
宽度
4.6mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
STF10NM50N
Through Hole
TO-220-3 Full Pack
7 A
7A (Tc)
3 V
25 V
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25W (Tc)
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TO-220-3 Full Pack
5 A
5A (Tc)
3 V
25 V
20 W
20W (Tc)
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TO-220-3 Full Pack
8.5 A
8.5A (Tc)
3 V
25 V
25 W
25W (Tc)
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Through Hole
TO-220-3 Full Pack
6.5 A
6.5A (Tc)
3 V
25 V
25 W
25W (Tc)
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Through Hole
TO-220-3 Full Pack
8.7 A
8.7A (Tc)
3 V
30 V
33 W
33W (Tc)
STF10NM50N PDF数据手册
- 数据表 :