![SI7686DP-T1-GE3](https://static.esinoelec.com/200dimg/vishaysiliconix-si7461dpt1e3-3017.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
PowerPAK® SO-8
引脚数
8
质量
506.605978mg
晶体管元件材料
SILICON
35A Tc
4.5V 10V
1
5W Ta 37.9W Tc
23 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2005
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
C BEND
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
8
JESD-30代码
R-XDSO-C5
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
5W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
13 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
9.5m Ω @ 13.8A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1220pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
26nC @ 10V
上升时间
16ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
8 ns
连续放电电流(ID)
35A
阈值电压
3V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.0095Ohm
漏源击穿电压
30V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
50A
雪崩能量等级(Eas)
5 mJ
高度
1.04mm
长度
4.9mm
宽度
5.89mm
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
SI7686DP-T1-GE3
Surface Mount
PowerPAK? SO-8
35 A
35A (Tc)
3 V
20 V
5 W
5W (Ta), 37.9W (Tc)
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
13 A
13A (Ta)
3 V
20 V
2.5 W
2.5W (Ta)
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
14 A
14A (Ta)
2.35 V
20 V
2.5 W
2.5W (Ta)
-
Surface Mount
PowerPAK? SO-8 Dual
15 A
25A
2.5 V
20 V
3.6 W
-
-
Surface Mount
PowerPAK? SO-8
20 A
20A (Tc)
2.5 V
20 V
3.9 W
3.9W (Ta), 29.8W (Tc)
SI7686DP-T1-GE3 PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 组装/原产地 :
- Rohs 声明 :