IRF7413TRPBF
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
13A Ta
4.5V 10V
1
2.5W Ta
52 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
2007
JESD-609代码
e3
零件状态
Not For New Designs
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
电阻
11mOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
ULTRA LOW RESISTANCE
电压 - 额定直流
30V
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
13A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
行间距
6.3 mm
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
2.5W
接通延迟时间
8.6 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
11m Ω @ 7.3A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1800pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
79nC @ 10V
上升时间
50ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
46 ns
连续放电电流(ID)
13A
阈值电压
3V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
双电源电压
30V
雪崩能量等级(Eas)
260 mJ
恢复时间
110 ns
最大结点温度(Tj)
150°C
栅源电压
3 V
高度
1.75mm
长度
4.9784mm
宽度
3.9878mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Contains Lead, Lead Free
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- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
IRF7413TRPBF
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8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
13 A
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11.6A (Ta)
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8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
14 A
14A (Ta)
2.35 V
20 V
2.5 W
2.5W (Ta)
IRF7413TRPBF PDF数据手册
- 数据表 :
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- PCN封装 :
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