![SI7478DP-T1-GE3](https://static.esinoelec.com/200dimg/vishaysiliconix-si7461dpt1e3-3017.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
PowerPAK® SO-8
引脚数
8
质量
506.605978mg
晶体管元件材料
SILICON
15A Ta
4.5V 10V
1
1.9W Ta
115 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2013
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
电阻
7.5mOhm
端子表面处理
PURE MATTE TIN
端子位置
DUAL
终端形式
C BEND
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
8
JESD-30代码
R-XDSO-C5
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
1.9W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
25 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
7.5m Ω @ 20A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
160nC @ 10V
上升时间
20ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
20 ns
连续放电电流(ID)
20A
阈值电压
3V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
60V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
60A
栅源电压
3 V
高度
1.04mm
长度
4.9mm
宽度
5.89mm
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
SI7478DP-T1-GE3
Surface Mount
PowerPAK? SO-8
20 A
15A (Ta)
3 V
20 V
1.9 W
1.9W (Ta)
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
18 A
18A (Ta)
3.1 V
20 V
5 W
2.5W (Ta), 5W (Tc)
-
Surface Mount
PowerPAK? SO-8
11 A
11A (Ta)
-
20 V
1.9 W
1.9W (Ta)
-
Surface Mount
PowerPAK? SO-8
6.2 A
6.2A (Ta)
3 V
20 V
1.8 W
1.8W (Ta)
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
8.5 A
6A (Ta)
3 V
20 V
1.7 W
1.7W (Ta)
SI7478DP-T1-GE3 PDF数据手册
- 数据表 :
- Rohs 声明 :