![FDS86540](https://static.esinoelec.com/200dimg/onsemiconductor-fm93c86am8-8028.jpg)
FDS86540
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
ON SEMICONDUCTOR - FDS86540 - MOSFET, N-CH, 60V, 8SOIC
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
9 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
质量
130mg
晶体管元件材料
SILICON
18A Ta
8V 10V
1
2.5W Ta 5W Tc
33 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2010
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
5W
接通延迟时间
28 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
4.5m Ω @ 18A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
6410pF @ 30V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
90nC @ 10V
上升时间
15ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
7.1 ns
连续放电电流(ID)
18A
阈值电压
3.1V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.0045Ohm
漏源击穿电压
60V
高度
1.575mm
长度
4.9mm
宽度
3.9mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
FDS86540
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
18 A
18A (Ta)
3.1 V
20 V
5 W
2.5W (Ta), 5W (Tc)
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
4.3 A
5.3A
1 V
20 V
3.1 W
-
-
Surface Mount
PowerPAK? SO-8
6.2 A
6.2A (Ta)
3 V
20 V
1.8 W
1.8W (Ta)
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
6.1 A
6.1A (Ta)
2 V
20 V
5 W
5W (Ta)
-
Surface Mount
PowerPAK? SO-8
20 A
15A (Ta)
3 V
20 V
1.9 W
1.9W (Ta)
FDS86540 PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :