
规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SMD, Flat Lead
引脚数
8
质量
84.99187mg
晶体管元件材料
SILICON
3.7A
2
22 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2013
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
电阻
144mOhm
端子表面处理
Pure Matte Tin (Sn)
最大功率耗散
2.8W
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
SI5933
引脚数量
8
元素配置
Dual
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
1.3W
接通延迟时间
1 ns
场效应管类型
2 P-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
144m Ω @ 2.5A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
276pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
6.8nC @ 5V
上升时间
34ns
漏源电压 (Vdss)
20V
下降时间(典型值)
8 ns
连续放电电流(ID)
2.5A
阈值电压
-1V
栅极至源极电压(Vgs)
8V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
3.7A
漏源击穿电压
-20V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
10A
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Standard
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Max Power DissipationPower Dissipation
-
SI5933CDC-T1-GE3
Surface Mount
8-SMD, Flat Lead
20V
2.5 A
3.7A
8 V
2.8 W
1.3 W
-
Surface Mount
8-SMD, Flat Lead
20V
3.1 A
4A
8 V
3.1 W
1.3 W
-
Surface Mount
8-SMD, Flat Lead
-
-4.4 A
3.2A (Tj)
8 V
-
1.1 W
-
Surface Mount
8-SMD, Flat Lead
-
3 A
3A (Ta)
10 V
-
1 W
-
Surface Mount
8-SMD, Flat Lead
20V
-3.7 A
3.7A (Tc)
8 V
-
1.9 W
SI5933CDC-T1-GE3 PDF数据手册
- 数据表 :
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