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SI4946BEY-T1-GE3
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOIC
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
质量
506.605978mg
晶体管元件材料
SILICON
6.5A
2
25 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2013
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
电阻
41MOhm
端子表面处理
MATTE TIN
最大功率耗散
3.7W
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
SI4946
引脚数量
8
元素配置
Dual
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
2.4W
接通延迟时间
10 ns
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
41m Ω @ 5.3A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
840pF @ 30V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
25nC @ 10V
上升时间
12ns
下降时间(典型值)
10 ns
连续放电电流(ID)
5.3A
阈值电压
2.4V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
60V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
30A
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Logic Level Gate
高度
1.55mm
长度
5mm
宽度
4mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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SI4946BEY-T1-GE3
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
5.3 A
6.5A
2.4 V
20 V
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8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
4.3 A
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3.1 W
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8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
8 A
8A (Tc)
2.5 V
20 V
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8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
4.2 A
7A (Ta)
3 V
20 V
-
2.5 W
SI4946BEY-T1-GE3 PDF数据手册
- 数据表 : SI4946BEY SI4946BEY-T1-GE3-Vishay-datasheet-8479316.pdf SI4946BEY-T1-GE3-Vishay-datasheet-67357226.pdf SI4946BEY-T1-GE3-Vishay-datasheet-50114445.pdf SI4946BEY-T1-GE3-Vishay-datasheet-120101857.pdf SI4946BEY-T1-GE3-Vishay-datasheet-14186967.pdf SI4946BEY-T1-GE3-Vishay-Siliconix-datasheet-62309608.pdf
- PCN 组装/原产地 :
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