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SI4936BDY-T1-GE3

型号:

SI4936BDY-T1-GE3

封装:

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

数据表:

SI4936BDY

描述:

MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    14 Weeks

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

  • 引脚数

    8

  • 质量

    506.605978mg

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 2

  • 12 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    TrenchFET®

  • 已出版

    2011

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    8

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Pure Matte Tin (Sn)

  • 最大功率耗散

    2.8W

  • 终端形式

    GULL WING

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    30

  • 基本部件号

    SI4936

  • 引脚数量

    8

  • 通道数量

    2

  • 元素配置

    Dual

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 接通延迟时间

    5 ns

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Dual)

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    35m Ω @ 5.9A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    3V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    530pF @ 15V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    15nC @ 10V

  • 上升时间

    25ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    30V

  • 下降时间(典型值)

    10 ns

  • 连续放电电流(ID)

    6.9A

  • 阈值电压

    3V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.035Ohm

  • 漏源击穿电压

    30V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 场效应管特性

    Logic Level Gate

  • 达到SVHC

    Unknown

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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