SI4511DY-T1-GE3
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC
规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
质量
186.993455mg
7.2A 4.6A
2
包装
Cut Tape (CT)
系列
TrenchFET®
已出版
2014
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
PURE MATTE TIN
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
最大功率耗散
1.1W
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
SI4511
引脚数量
8
通道数量
2
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
2W
场效应管类型
N and P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
14.5m Ω @ 9.6A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.8V @ 250μA
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
18nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
20V
极性/通道类型
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
连续放电电流(ID)
9.6A
阈值电压
600mV
栅极至源极电压(Vgs)
12V
漏极-源极导通最大电阻
0.0145Ohm
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Logic Level Gate
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
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-
SI4511DY-T1-GE3
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
20V
9.6 A
7.2A, 4.6A
600 mV
12 V
1.1 W
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
20V
8 A
-
1.5 V
12 V
3.1 W
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
-
8.7 A
8.7A (Ta)
700 mV
12 V
-
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
20V
-9 A
9A
-1 V
12 V
2 W
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
-
7.5 A
-
900 mV
12 V
2 W
SI4511DY-T1-GE3 PDF数据手册
- 数据表 :
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