SI4447ADY-T1-GE3
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
VISHAY - SI4447ADY-T1-GE3 - MOSFET, P-KANAL, DIODE, 40V, 7.2A, SO8
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
供应商器件包装
8-SO
质量
506.605978mg
7.2A Tc
4.5V 10V
2
4.2W Tc
30 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2015
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
通道数量
1
元素配置
Single
功率耗散
2.5W
接通延迟时间
7 ns
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
45mOhm @ 5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
970pF @ 20V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
38nC @ 10V
上升时间
12ns
漏源电压 (Vdss)
40V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
9 ns
连续放电电流(ID)
7.2A
阈值电压
-1.2V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
-40V
输入电容
970pF
漏源电阻
45mOhm
最大rds
45 mΩ
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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-
SI4447ADY-T1-GE3
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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7.6A (Ta)
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2.5 W
2.5W (Ta)
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