工厂交货时间

12 Weeks

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

安装类型

Surface Mount

底架

Surface Mount

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

210 ns

2.5W Ta

1

4.5V 10V

6.2A Ta

已出版

2004

系列

HEXFET®

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

零件状态

Active

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

电阻

41MOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

HIGH RELIABILITY

电压 - 额定直流

-40V

端子位置

DUAL

终端形式

GULL WING

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-6.2A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

元素配置

Single

功率耗散

2.5W

接通延迟时间

24 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

41m Ω @ 6.2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3220pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

80nC @ 10V

上升时间

280ns

漏源电压 (Vdss)

40V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

100 ns

连续放电电流(ID)

-6.2A

阈值电压

-3V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

-40V

双电源电压

-40V

恢复时间

48 ns

栅源电压

-3 V

宽度

3.9878mm

长度

4.9784mm

高度

1.4986mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

No

达到SVHC

No SVHC

无铅

Contains Lead, Lead Free