SI4286DY-T1-GE3
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET 40 Volts 7 Amps 2.9 Watts
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
15 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
质量
540.001716mg
晶体管元件材料
SILICON
2
10 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2013
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
2.9W
终端形式
GULL WING
基本部件号
SI4286
引脚数量
8
元素配置
Dual
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
1.9W
接通延迟时间
9 ns
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
32.5m Ω @ 8A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
375pF @ 20V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
10.5nC @ 10V
上升时间
11ns
漏源电压 (Vdss)
40V
下降时间（典型值）
7 ns
连续放电电流(ID)
7A
阈值电压
2.5V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
7A
漏源击穿电压
40V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Standard
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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SI4286DY-T1-GE3
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
40V
7 A
2.5 V
20 V
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8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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-
20 V
1.8 W
2.1 W
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
40V
7.5 A
-
20 V
1.8 W
2.14 W
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
40V
8 A
1 V
20 V
3.2 W
2 W
SI4286DY-T1-GE3 PDF数据手册
- 数据表 :
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- PCN 组装/原产地 :
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