![SI4116DY-T1-E3](https://static.esinoelec.com/200dimg/siliconlabs-si4834a20gu-3790.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
质量
186.993455mg
晶体管元件材料
SILICON
18A Tc
2.5V 10V
1
2.5W Ta 5W Tc
50 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2016
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
电阻
8.6MOhm
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
8
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
2.5W
接通延迟时间
13 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
8.6m Ω @ 10A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1925pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
56nC @ 10V
上升时间
11ns
漏源电压 (Vdss)
25V
Vgs(最大值)
±12V
下降时间(典型值)
15 ns
连续放电电流(ID)
12.7A
栅极至源极电压(Vgs)
12V
DS 击穿电压-最小值
25V
高度
1.55mm
长度
5mm
宽度
4mm
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
SI4116DY-T1-E3
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
25V
12.7 A
18A (Tc)
12 V
2.5 W
2.5W (Ta), 5W (Tc)
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
-
16 A
16A (Ta)
12 V
2.5 W
2.5W (Ta)
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
-
15 A
15A (Ta)
12 V
2.5 W
2.5W (Ta)
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
-
14 A
14A (Ta)
12 V
2.5 W
2.5W (Ta)
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
30V
13 A
13A (Ta)
12 V
2.5 W
2.5W (Ta)
SI4116DY-T1-E3 PDF数据手册
- 数据表 :
- Rohs 声明 :