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IRF7463TRPBF

型号:

IRF7463TRPBF

封装:

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

数据表:

IRF7463PbF

描述:

MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    12 Weeks

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

  • 引脚数

    8

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 14A Ta

  • 2.7V 10V

  • 1

  • 2.5W Ta

  • 28 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    HEXFET®

  • 已出版

    2004

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    Not For New Designs

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    8

  • 电阻

    8MOhm

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 电压 - 额定直流

    30V

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    GULL WING

  • 额定电流

    14A

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    2.5W

  • 接通延迟时间

    16 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    8m Ω @ 14A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    3150pF @ 15V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    51nC @ 4.5V

  • 上升时间

    16ns

  • Vgs(最大值)

    ±12V

  • 下降时间(典型值)

    6.5 ns

  • 连续放电电流(ID)

    14A

  • 阈值电压

    2V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    12V

  • 漏源击穿电压

    30V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    320 mJ

  • 栅源电压

    2 V

  • 高度

    1.4986mm

  • 长度

    4.9784mm

  • 宽度

    3.9878mm

  • 达到SVHC

    No SVHC

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Contains Lead, Lead Free

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