IRF8113GPBF
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SO
规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
供应商器件包装
8-SO
17.2A Ta
4.5V 10V
1
2.5W Ta
17 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
已出版
2009
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
功率耗散
2.5W
接通延迟时间
13 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
5.6mOhm @ 17.2A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2910pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
36nC @ 4.5V
上升时间
8.9ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
3.5 ns
连续放电电流(ID)
17.2A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
输入电容
2.91nF
漏源电阻
7.4mOhm
最大rds
5.6 mΩ
栅源电压
2.2 V
高度
1.4986mm
长度
4.9784mm
宽度
3.9878mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
RoHS Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CRds On MaxGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
IRF8113GPBF
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
30V
17.2 A
17.2A (Ta)
5.6 mΩ
20 V
2.5 W
2.5W (Ta)
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
-
14 A
14A (Ta)
-
20 V
2.5 W
2.5W (Ta)
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
-
14 A
14A (Ta)
-
20 V
2.5 W
2.5W (Ta)
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
-
14 A
14A (Ta)
-
20 V
2.5 W
2.5W (Ta)
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
30V
11.9 A
11.9A (Tc)
-
20 V
2.5 W
4.1W (Tc)
IRF8113GPBF PDF数据手册
- 数据表 :
- 其他相关文件 :
- PCN 报废/ EOL :
- PCN 组装/原产地 :
- 冲突矿产声明 :