SI4776DY-T1-GE3
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET 30 Volts 11.9 Amps 4.1 Watts
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
27 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
供应商器件包装
8-SO
质量
540.001716mg
11.9A Tc
4.5V 10V
1
4.1W Tc
11 ns
操作温度
-55°C~150°C TA
包装
Tape & Reel (TR)
系列
SkyFET®, TrenchFET®
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
通道数量
1
功率耗散
2.5W
接通延迟时间
10 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
16mOhm @ 10A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
521pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
17.5nC @ 10V
上升时间
11ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
6 ns
连续放电电流(ID)
11.9A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源电阻
13mOhm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
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-15 A
15A (Ta)
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2.5 W
2.5W (Ta)
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