![SI3464DV-T1-GE3](https://static.esinoelec.com/200dimg/vishaysiliconix-sq3585evt1ge3-7819.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
引脚数
6
质量
19.986414mg
晶体管元件材料
SILICON
8A Tc
1.8V 4.5V
1
2W Ta 3.6W Tc
22 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2014
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
6
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
通道数量
1
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
2W
接通延迟时间
3 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
24m Ω @ 7.5A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1065pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
18nC @ 5V
上升时间
12ns
Vgs(最大值)
±8V
下降时间(典型值)
8 ns
连续放电电流(ID)
8A
栅极至源极电压(Vgs)
8V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
8A
漏极-源极导通最大电阻
0.024Ohm
漏源击穿电压
20V
栅源电压
450 mV
高度
1.1mm
长度
3.05mm
宽度
1.65mm
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-MaxTerminal Position
-
SI3464DV-T1-GE3
Surface Mount
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
8 A
8A (Tc)
8 V
2 W
2W (Ta), 3.6W (Tc)
DUAL
-
Surface Mount
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
8 A
8A (Tc)
8 V
2 W
2W (Ta), 3.5W (Tc)
DUAL
-
Surface Mount
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
6.7 A
8A (Tc)
8 V
2 W
2W (Ta), 3.5W (Tc)
DUAL
-
Surface Mount
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
7.5 A
7.5A (Ta)
8 V
2 W
2W (Ta)
DUAL
-
Surface Mount
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
7.5 A
7.5A (Ta)
8 V
-
2W (Ta)
DUAL
SI3464DV-T1-GE3 PDF数据手册
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- Rohs 声明 :