SI3460BDV-T1-GE3
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
MOSFET 20V 8.0A 3.5W 27mohm @ 4.5V
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
引脚数
6
质量
19.986414mg
晶体管元件材料
SILICON
8A Tc
1.8V 4.5V
1
2W Ta 3.5W Tc
25 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2014
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Pure Matte Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度（摄氏度）
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
6
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
2W
接通延迟时间
5 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
27m Ω @ 5.1A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
860pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
24nC @ 8V
上升时间
15ns
Vgs（最大值）
±8V
下降时间（典型值）
5 ns
连续放电电流(ID)
6.7A
阈值电压
1V
栅极至源极电压(Vgs)
8V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
8A
漏极-源极导通最大电阻
0.027Ohm
漏源击穿电压
20V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
20A
栅源电压
1 V
高度
1mm
长度
3.05mm
宽度
1.65mm
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
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SI3460BDV-T1-GE3
Surface Mount
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
6.7 A
8A (Tc)
1 V
8 V
2 W
2W (Ta), 3.5W (Tc)
Surface Mount
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
8 A
8A (Tc)
-
8 V
2 W
2W (Ta), 3.6W (Tc)
Surface Mount
SOT-23-6
6.9 A
6.9A (Ta)
-400 mV
12 V
2 W
2W (Ta)
Surface Mount
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
7.9 A
7.9A (Tc)
400 mV
8 V
1.7 W
1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Surface Mount
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
7.5 A
7.5A (Ta)
-
8 V
2 W
2W (Ta)
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