SI3417DV-T1-GE3
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
MOSFET -30V .0252ohm@-10V -8A P-Ch T-FET
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
引脚数
6
质量
19.986414mg
晶体管元件材料
SILICON
8A Ta
4.5V 10V
1
2W Ta 4.2W Tc
40 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2014
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
2W
接通延迟时间
42 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
25.2m Ω @ 7.3A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1350pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
50nC @ 10V
上升时间
35ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
16 ns
连续放电电流(ID)
8A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
8A
漏极-源极导通最大电阻
0.0252Ohm
漏源击穿电压
-30V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
SI3417DV-T1-GE3
Surface Mount
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
30V
8 A
8A (Ta)
20 V
2 W
2W (Ta), 4.2W (Tc)
-
Surface Mount
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
-
8 A
8A (Tc)
20 V
2 W
3.6W (Tc)
-
Surface Mount
SOT-23-6
-
8.2 A
8.2A (Ta)
20 V
2 W
2W (Ta)
-
Surface Mount
SOT-23-6
30V
5.8 A
5.8A (Ta)
20 V
2 W
2W (Ta)
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