规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
引脚数
6
质量
19.986414mg
晶体管元件材料
SILICON
8A Tc
2.5V 4.5V
1
4.2W Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2013
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
电阻
24mOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
6
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
2W
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
24m Ω @ 7.5A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1670pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
63nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±12V
连续放电电流(ID)
-8A
阈值电压
-1.5V
栅极至源极电压(Vgs)
12V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
7.5A
漏源击穿电压
-20V
栅源电压
-1.5 V
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power Dissipation
-
SI3407DV-T1-GE3
Surface Mount
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
20V
-8 A
8A (Tc)
-1.5 V
12 V
2 W
-
Surface Mount
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
-
8 A
8A (Tc)
-
8 V
2 W
-
Surface Mount
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
20V
7.5 A
7.5A (Ta)
-
8 V
2 W
-
Surface Mount
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
-
8 A
8A (Tc)
600 mV
12 V
1.7 W
SI3407DV-T1-GE3 PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 组装/原产地 :
- Rohs 声明 :