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SI3407DV-T1-GE3

型号:

SI3407DV-T1-GE3

封装:

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

数据表:

SI3407DV

描述:

MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    14 Weeks

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

  • 引脚数

    6

  • 质量

    19.986414mg

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 8A Tc

  • 2.5V 4.5V

  • 1

  • 4.2W Tc

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    TrenchFET®

  • 已出版

    2013

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 电阻

    24mOhm

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    GULL WING

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    30

  • 引脚数量

    6

  • 通道数量

    1

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    2W

  • 场效应管类型

    P-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    24m Ω @ 7.5A, 4.5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1.5V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1670pF @ 10V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    63nC @ 10V

  • 漏源电压 (Vdss)

    20V

  • Vgs(最大值)

    ±12V

  • 连续放电电流(ID)

    -8A

  • 阈值电压

    -1.5V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    12V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    7.5A

  • 漏源击穿电压

    -20V

  • 栅源电压

    -1.5 V

  • 达到SVHC

    No SVHC

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    Threshold Voltage
    Gate to Source Voltage (Vgs)
    Power Dissipation
  • SI3407DV-T1-GE3

    SI3407DV-T1-GE3

    Surface Mount

    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

    20V

    -8 A

    8A (Tc)

    -1.5 V

    12 V

    2 W

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    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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    -

    8 V

    2 W

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    Surface Mount

    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

    -

    8 A

    8A (Tc)

    600 mV

    12 V

    1.7 W

SI3407DV-T1-GE3 PDF数据手册