![SI1972DH-T1-E3](https://static.esinoelec.com/200dimg/vishaysiliconix-si1922edht1ge3-8117.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
2
10 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2013
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
电阻
190mOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最大功率耗散
740mW
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
SI1972
引脚数量
6
元素配置
Dual
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
740mW
接通延迟时间
5 ns
功率 - 最大
1.25W
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
225m Ω @ 1.3A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.8V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
75pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
2.8nC @ 10V
上升时间
10ns
漏源电压 (Vdss)
30V
下降时间(典型值)
10 ns
连续放电电流(ID)
1.3A
阈值电压
2.8V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
DS 击穿电压-最小值
30V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Standard
栅源电压
2.8 V
高度
1mm
长度
2mm
宽度
1.25mm
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Threshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationMax Power Dissipation
-
SI1972DH-T1-E3
Surface Mount
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
30V
1.3 A
2.8 V
20 V
740 mW
740 mW
-
Surface Mount
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
-
1.6 A
-1.6 V
20 V
750 mW
-
-
Surface Mount
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
-
1.1 A
3 V
20 V
500 mW
-
-
Surface Mount
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
-
2 A
1.8 V
20 V
750 mW
-
SI1972DH-T1-E3 PDF数据手册
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