规格参数
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工厂交货时间
14 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
引脚数
6
质量
28.009329mg
晶体管元件材料
SILICON
2
15 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2010
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最大功率耗散
1.25W
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
SI1967
引脚数量
6
元素配置
Dual
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
740mW
接通延迟时间
12 ns
场效应管类型
2 P-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
490m Ω @ 910mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
110pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
4nC @ 8V
上升时间
27ns
漏源电压 (Vdss)
20V
下降时间(典型值)
27 ns
连续放电电流(ID)
1.3A
栅极至源极电压(Vgs)
8V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
1A
漏极-源极导通最大电阻
0.49Ohm
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Logic Level Gate
高度
1mm
长度
2mm
宽度
1.25mm
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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SI1967DH-T1-E3 PDF数据手册
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