
SI1023X-T1-GE3
SOT-563, SOT-666
MOSFET Dual P-Ch MOSFET 20V 1.2 ohms @ 4.5V
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
SOT-563, SOT-666
引脚数
3
质量
8.193012mg
晶体管元件材料
SILICON
370mA
2
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2016
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
电阻
1.2Ohm
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
LOW THRESHOLD
最大功率耗散
250mW
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
SI1023
引脚数量
6
JESD-30代码
R-PDSO-F6
元素配置
Dual
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
250mW
场效应管类型
2 P-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.2 Ω @ 350mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
450mV @ 250μA (Min)
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
1.5nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
20V
连续放电电流(ID)
-350mA
阈值电压
-450mV
栅极至源极电压(Vgs)
6V
漏源击穿电压
-20V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Logic Level Gate
高度
600μm
长度
1.7mm
宽度
1.2mm
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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SI1023X-T1-GE3
Surface Mount
SOT-563, SOT-666
20V
-350 mA
370mA
-450 mV
6 V
250 mW
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SOT-563, SOT-666
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600 mA
485mA
450 mV
6 V
250 mW
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Surface Mount
SOT-563, SOT-666
20V
4.5 A
4.5A (Ta)
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10 V
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