SI1023CX-T1-GE3
SOT-563, SOT-666
Trans MOSFET P-CH 20V 0.45A 6-Pin SC-89 T/R
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
SOT-563, SOT-666
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
2
10 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2016
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
PURE MATTE TIN
最大功率耗散
220mW
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
6
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
220mW
接通延迟时间
9 ns
场效应管类型
2 P-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
756m Ω @ 350mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
45pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
2.5nC @ 4.5V
上升时间
10ns
漏源电压 (Vdss)
20V
下降时间(典型值)
8 ns
连续放电电流(ID)
450mA
栅极至源极电压(Vgs)
8V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.45A
漏极-源极导通最大电阻
1.038Ohm
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Logic Level Gate
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
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SI1023CX-T1-GE3 PDF数据手册
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