![SI1013X-T1-GE3](https://static.esinoelec.com/200dimg/onsemiconductor-nzl7v5axv3t1g-0805.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
SC-89, SOT-490
引脚数
3
质量
29.993795mg
晶体管元件材料
SILICON
350mA Ta
1.8V 4.5V
1
250mW Ta
35 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2012
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电阻
1.2Ohm
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
LOW THRESHOLD
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
3
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
250mW
接通延迟时间
5 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.2 Ω @ 350mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
450mV @ 250μA (Min)
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
1.5nC @ 4.5V
上升时间
9ns
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±6V
下降时间(典型值)
9 ns
连续放电电流(ID)
-400mA
阈值电压
-450mV
栅极至源极电压(Vgs)
6V
漏源击穿电压
-20V
高度
800μm
长度
1.7mm
宽度
950μm
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power Dissipation
-
SI1013X-T1-GE3
Surface Mount
SC-89, SOT-490
20V
-400 mA
350mA (Ta)
-450 mV
6 V
250 mW
-
Surface Mount
SC-89, SOT-490
-
600 mA
500mA (Ta)
900 mV
6 V
250 mW
-
Surface Mount
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
25V
-410 mA
410mA
-820 mV
-8 V
300 mW
-
Surface Mount
SC-89, SOT-490
20V
350 mA
350mA (Ta)
-1 V
8 V
625 mW
-
Surface Mount
SC-75A
-
200 mA
140mA (Ta)
900 mV
6 V
250 mW
SI1013X-T1-GE3 PDF数据手册
- 数据表 :
- Rohs 声明 :