工厂交货时间

8 Weeks

底架

Through Hole

安装类型

Through Hole

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

质量

6.000006g

晶体管元件材料

SILICON

50A Tc

10V

1

150W Tc

35 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

已出版

2011

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Active

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

3

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

ENHANCEMENT MODE

功率耗散

126W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

15 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

28m Ω @ 31A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1900pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

67nC @ 10V

上升时间

25ns

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

12 ns

连续放电电流(ID)

35A

阈值电压

4V

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

50A

漏极-源极导通最大电阻

0.028Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

200A

DS 击穿电压-最小值

60V

栅源电压

4 V

高度

9.01mm

长度

10.41mm

宽度

4.7mm

达到SVHC

Unknown

辐射硬化

No

RoHS状态

ROHS3 Compliant