规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
43A Tc
10V
1
71W Tc
49 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
已出版
2008
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电阻
15.8MOhm
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
71W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
6.3 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
15.8m Ω @ 25A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 50μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1150pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
30nC @ 10V
上升时间
40ns
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
47 ns
连续放电电流(ID)
43A
阈值电压
4V
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
60V
恢复时间
33 ns
高度
9.017mm
长度
10.6426mm
宽度
4.82mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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IRFB3806PBF
Through Hole
TO-220-3
43 A
43A (Tc)
4 V
20 V
71 W
71W (Tc)
Through Hole
TO-220-3
51 A
51A (Tc)
4 V
20 V
80 W
80W (Tc)
Through Hole
TO-220-3
55 A
55A (Tc)
4 V
20 V
115 W
115W (Tc)
Through Hole
TO-220-3
50 A
50A (Tc)
4 V
20 V
131 W
131W (Tc)
Through Hole
TO-220-3
48 A
48A (Tc)
4 V
20 V
110 W
110W (Tc)
IRFB3806PBF PDF数据手册
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