![IRFB9N65APBF](https://static.esinoelec.com/200dimg/vishaysiliconix-irl540pbf-1406.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
8 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
供应商器件包装
TO-220AB
质量
6.000006g
8.5A Tc
10V
1
167W Tc
34 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电阻
930mOhm
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
通道数量
1
元素配置
Single
功率耗散
167W
接通延迟时间
14 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
930mOhm @ 5.1A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1417pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
48nC @ 10V
上升时间
20ns
漏源电压 (Vdss)
650V
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
18 ns
连续放电电流(ID)
8.5A
阈值电压
4V
栅极至源极电压(Vgs)
30V
输入电容
1.417nF
恢复时间
739 ns
漏源电阻
930mOhm
最大rds
930 mΩ
栅源电压
4 V
高度
9.01mm
长度
10.41mm
宽度
4.7mm
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageRds On MaxGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
IRFB9N65APBF
Through Hole
TO-220-3
650V
8.5 A
8.5A (Tc)
4 V
930 mΩ
30 V
167 W
167W (Tc)
-
Through Hole
TO-220-3
-
7.5 A
7.5A (Tc)
4 V
-
30 V
147 W
147W (Tc)
-
Through Hole
TO-220-3
600V
9.2 A
9.2A (Tc)
4 V
750 mΩ
30 V
170 W
170W (Tc)
-
Through Hole
TO-220-3
500V
8 A
8A (Tc)
4 V
850 mΩ
30 V
125 W
125W (Tc)
-
Through Hole
TO-220-3
500V
8 A
8A (Tc)
4 V
850 mΩ
30 V
125 W
125W (Tc)
IRFB9N65APBF PDF数据手册
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